方正微電子成功產出第一片6英寸碳化硅二極管
發布時間：2015.09.18
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作為第三代半導體(ti)(ti)材料雙(shuang)雄之一的碳化硅，具有高電場強度、高熱導率(lv)、寬(kuan)禁帶寬(kuan)度、高飽和(he)漂移(yi)速度優點，廣泛應用在微波及高頻和(he)短波長器(qi)件以及功率(lv)半導體(ti)(ti)領(ling)域。
我司(si)自2014年(nian)9月(yue)開(kai)始與華(hua)智科(ke)技(ji)（國(guo)際）有限公司(si)合(he)(he)作開(kai)發(fa)碳化硅(gui)二極(ji)管，經前期(qi)技(ji)術討論、產品設(she)(she)計(ji)、流程(cheng)測試，歷時近一年(nian)，2015年(nian)9月(yue)中旬(xun)完成產品測試，第一次流片達(da)到1200V的(de)設(she)(she)計(ji)要求，合(he)(he)作成果超越了華(hua)智的(de)預(yu)期(qi)，體現了我司(si)在(zai)特種器件上的(de)雄厚的(de)技(ji)術儲備和強大(da)工藝(yi)加(jia)工能力，為后續類似的(de)產品開(kai)發(fa)和量產打下堅實(shi)的(de)基礎。
2015年9月(yue)15日華(hua)智科(ke)技CEO譚志明先(xian)生專(zhuan)程趕到(dao)深(shen)圳(zhen)向(xiang)開發團隊致(zhi)謝，向(xiang)方正微電子贈送(song)“大中華(hua)區第一片(pian)6英寸碳化硅二極管”紀念牌，并商討進一步(bu)深(shen)入合(he)作事宜。